電力電子器件又稱作開關(guān)器件，相當(dāng)于信號(hào)電路中的A-D采樣，稱之為功率采樣，器件的工作過程就是能量過渡過程，其可靠性決定了裝置和系統(tǒng)的可靠性。根據(jù)可控程度以及構(gòu)造特點(diǎn)等因素可以把電力電子器件分成四類：
(1)半控型器件——*代電力電子器件
2O世紀(jì)5O年代，由美國通用電氣公司發(fā)明的硅晶閘管的問世，標(biāo)志著電力電子技術(shù)的開端。到了2O世紀(jì)7O年代，已經(jīng)派生出了許多半控型器件，這些電力電子器件的功率也越來越大，性能日漸完善，但是由于晶閘管的固有特性，大大限制了它的應(yīng)用范圍。
(2)全控型器件一一第二代電力電子器件
從2O世紀(jì)7O年代后期開始，可關(guān)斷晶閘管(GTO)、電力晶體管(GTR或BJT)及其模塊相繼實(shí)用化。此后，各種高頻率的全控型器件不斷問世，并得到迅速發(fā)展。這些器件主要有：電力場(chǎng)控晶體管(即功率MOSFET)、靜電感應(yīng)晶體管(SIT)、靜電感應(yīng)晶閘管(SITH)等，這些器件的產(chǎn)生和發(fā)展，已經(jīng)形成了一個(gè)新型的全控電力電子器件的大家族。
(3)復(fù)合型器件——第三代電力電子器件
前兩代電力電子器件中各種器件都有其本身的特點(diǎn)。近年來，又出現(xiàn)了兼有幾種器件優(yōu)點(diǎn)的復(fù)合器件。如：絕緣門雙晶體管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)。它實(shí)際上是MOSFET驅(qū)動(dòng)雙型晶體管，兼有M0sFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩者的優(yōu)點(diǎn)。它容量較大、開關(guān)速度快、易驅(qū)動(dòng)，成為一種理想的電力電子器件。
(4)模塊化器件——第四代電力電子器件
隨著工藝水平的不斷提高，可以將許多零散拼裝的器件組合在一起并且大規(guī)模生產(chǎn)，進(jìn)而導(dǎo)致第四代電力電子器件的誕生。以功率集成電路PIC(Power Intergrated Circuit)為代表，其不僅把主電路的器件，而且把驅(qū)動(dòng)電路以及具有過壓過流保護(hù)，甚至溫度自動(dòng)控制等作用的電路都集成在一起，形成一個(gè)整體。
